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变频电源技术资讯

变频电源IGBT的基础原理 交流变频电源

变频电源IGBT的基础原理 交流变频电源IGBT(绝缘层栅双极型晶体管)是有BJT(双极结型晶体管)和MOSFET(金属材料-金属氧化物-半导体材料场效应管)构成的复合型全控型工作电压驱动器式集成电路工艺,它兼具MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降2个层面的优势。GTR(电力工程晶体管,是一种双极型功率、高原反应压晶体管,其输出功率十分大,因而又被称作超大晶体管,通称GTR)的饱和状态压降低,载流相对密度大,但驱动电流很大;MOSFET的驱动器输出功率不大,电源开关更快,但通断压降大,载流相对密度小。而变频电源电源电路选用IGBT综合性了左右二种电子器件的优势,即驱动器输出功率小而饱和状态压降低。IGBT交流变频电源的性能参数变频电源IGBT的电源开关损耗包含关闭损耗和启用损耗。常温状态,交流变频电源IGBT的关闭损耗和MOSFET类似。其启用损耗均值比MOSFET略小,且它与溫度没有太大的关系,但每提升100℃,其值提升2倍。二种元器件的电源开关损耗和电流量有关,电流量越大,损耗越大。变频电源选用IGBT的优点与MOSFET的BJT对比,变频电源选用IGBT的关键优点如以下内容:1)变频电源IGBT有一个极低的通态压降,且因为它具备出色的电导调配能力和很大的通态电流强度,促使更小的芯片尺寸和更低的功率变成将会。2)MOS栅构造促使IGBT有较低的驱动器工作电压,且只必须简易的外场光耦电路;与BJT和可控硅相较为,它能更非常容易地应用在高工作电压大电流量的电源电路中。3)它有较为宽的操作规程区,且具备比双极型晶体管更优质的电流量传输能力,也是优良的顺向和反方向阻隔能力。
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【本文标签】:变频电源,晶体管,交流变频电源,电流量,双极,损耗,驱动器,工作电压,输出功率,压降